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” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 IRL3103-019PBF Infineon Technologies AG
56A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL3103-019 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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AD IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET/FET,IPZ60R017 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET
对比 IRLIZ24N-106 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRLIZ44N-013PBF Infineon Technologies AG
28A, 55V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL540-015 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL2203N-003 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL3202-019 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRLZ44N-002 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL6903LPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
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对比 IRL3102-013PBF Infineon Technologies AG
61A, 20V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRLIZ24N-031PBF Infineon Technologies AG
14A, 55V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRL2910-002PBF Infineon Technologies AG
48A, 100V, 0.026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL3402-031PBF Infineon Technologies AG
85A, 20V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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对比 IRL3713SLPBF Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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对比 IRLI3803-109 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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对比 IRL3705-003 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRLI3705N-019PBF Infineon Technologies AG
47A, 55V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
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对比 IRLMS6702TRPBF-1 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor
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对比 IRL3302-018 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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对比 IRL540-006 Infineon Technologies AG
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
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